??功率晶體管是指工作時允許功率為1W以上的晶體管。

用于使用大電流驅(qū)(qū)動的電氣設(shè)備。功率晶體管的主要作用是電流放大、開關(guān)和交流整流。

由于它們處理大量電流，因此在運行過程中會產(chǎn)(chǎn)生大量熱量，有些產(chǎn)(chǎn)品的外殼采用耐熱金屬或帶有散熱片。功率晶體管有多種類型，其中最典型的是雙極功率晶體管、?MOSFET和IGBT 。

功率晶體管的應(yīng)用

功率晶體管用于需要大電流運行的電氣設(shè)備中的開關(guān)和放大電流等應(yīng)用。典型應(yīng)用包括空調(diào)(diào)、冰箱、洗衣機等家用電器、太陽能發(fā)(fā)電和電動汽車。

根據(jù)(jù)應(yīng)用，需要考慮允許的電流、電壓、運行時產(chǎn)(chǎn)生的熱量、尺寸等。如果您使用的是需要高精度操作的產(chǎn)(chǎn)品，在開關(guān)和放大流過電路的電流時要考慮開關(guān)速度等因素。

功率晶體管原理

功率晶體管的工作原理因類型而異，例如雙極晶體管、MOSFET 和 IGBT。

1.雙極晶體管

雙極晶體管是具有N型半導體和P型半導體接合成三層的結(jié)構(gòu)的晶體管。組成雙極晶體管的半導體具有從每個半導體引出的端子，稱為“基極”、“發(fā)(fā)射極”和“集電極”。

如果在向發(fā)(fā)射極和集電極施加電壓的同時有電流流過基極，則發(fā)(fā)射極和集電極之間將流過大電流。

2. 場效應(yīng)管

MOSFET是一種結(jié)構(gòu)類似于雙極晶體管的晶體管。端子的名稱為“源極”、“漏極”和“柵極”。

當電壓施加到柵極時，電流在源極和漏極之間流動。該晶體管能夠進行高速開關(guān)，用于需要快速控制的產(chǎn)(chǎn)品。

3.IGBT

IGBT是一種結(jié)構(gòu)與上述兩種晶體管類似的晶體管。終端稱為“門”、“發(fā)(fā)射器”和“收集器”。

它具有發(fā)(fā)射極和集電極由雙極晶體管制成、柵極由MOSFET制成的結(jié)構(gòu)。這是一類晶體管，具有上述兩種晶體管的優(yōu)(yōu)點，應(yīng)用范圍廣泛。

功率晶體管的類型

功率晶體管主要有兩種類型：雙極晶體管和場效應(yīng)晶體管。請注意，簡單地說晶體管，我們通常指的是雙極晶體管。

1.雙極晶體管

雙極晶體管是電流控制器件。根據(jù)(jù)半導體的堆疊方式，有 NPN 和 PNP 類型。一般有3個端子，2條輸出電流路徑（輸入和輸出），1個控制輸出電流的輸入。

一般采用共發(fā)(fā)射極電路，基極（B）為輸入信號，集電極（C）為+電源，發(fā)(fā)射極（E）接地。雙極型晶體管的直流電流放大系數(shù)(shù)用β或hFE表示，范圍為幾十到200。此外，還可以采用達林頓結(jié)構(gòu)??的功率晶體管來增大β（β為數(shù)(shù)百至數(shù)(shù)千）。

2.場效應(yīng)晶體管

另一方面，場效應(yīng)晶體管是電壓控制器件。它具有N溝道或P溝道結(jié)構(gòu)。

一般有3個端子，2條輸出電壓路徑（輸入和輸出），1個輸入控制輸出電壓。一般采用共源電路，輸入信號接柵極（G），+電源接漏極（D），源極（S）接地。

場效應(yīng)晶體管的直流電壓放大系數(shù)(shù)用其跨導（gm）表示。它具有比功率晶體管更好的開關(guān)特性，是開關(guān)電源中經(jīng)(jīng)常使用的開關(guān)元件。